 | NTB30N20G | ON | MOSFET N-CH 200V 30A D2PAK 数据手册 | 包装： Tube 系列： - 零件状态： Obsolete FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 200V 电流-连续漏极（Id）（25°C 时）： 30A (Ta) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 81mOhm @ 15A, 10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 4V @ 250μA | 暂无价格 | 库存：1000 + 国内：1~2 天
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 | RFP3055 | ON | MOSFET N-CH 60V 12A TO-220AB 数据手册 | 包装： Tube 系列： - 零件状态： Obsolete FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 60V 电流-连续漏极（Id）（25°C 时）： 12A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 150mOhm @ 12A, 10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 4V @ 250μA | 暂无价格 | 库存：1000 + 国内：1~2 天
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 | FDMS0308CS | ON | MOSFET N-CH 30V POWER56 数据手册 | 包装： Cut Tape (CT) 系列： - 零件状态： Obsolete FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 30V 电流-连续漏极（Id）（25°C 时）： 22A (Ta) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： - 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 3mOhm @ 21A, 10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 3V @ 1mA | 暂无价格 | 库存：1000 + 国内：1~2 天
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| FQU5N50CTU | ON | MOSFET N-CH 500V 4A IPAK 数据手册 | 包装： Tube 系列： QFET? 零件状态： Obsolete FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 500V 电流-连续漏极（Id）（25°C 时）： 4A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 1.4Ohm @ 2A, 10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 4V @ 250μA | 暂无价格 | 库存：1000 + 国内：1~2 天
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 | NTD32N06G | ON | MOSFET N-CH 60V 32A DPAK 数据手册 | 包装： Tube 系列： - 零件状态： Obsolete FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 60V 电流-连续漏极（Id）（25°C 时）： 32A (Ta) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 26mOhm @ 16A, 10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 4V @ 250μA | 暂无价格 | 库存：1000 + 国内：1~2 天
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 | MPF960 | ON | MOSFET N-CH 60V 2A TO-92 数据手册 | 包装： Bulk 系列： - 零件状态： Obsolete FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 60V 电流-连续漏极（Id）（25°C 时）： 2A (Ta) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 1.7Ohm @ 1A, 10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 3.5V @ 1mA | 暂无价格 | 库存：1000 + 国内：1~2 天
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 | HUFA75309D3S | ON | MOSFET N-CH 55V 19A DPAK 数据手册 | 包装： Tube 系列： UltraFET? 零件状态： Obsolete FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 55V 电流-连续漏极（Id）（25°C 时）： 19A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 70mOhm @ 19A, 10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 4V @ 250μA | 暂无价格 | 库存：1000 + 国内：1~2 天
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| FDA38N30 | ON | MOSFET N-CH 300V TO-3 数据手册 | 包装： Tube 系列： UniFET? 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 300V 电流-连续漏极（Id）（25°C 时）： 38A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 85mOhm @ 19A, 10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 5V @ 250μA | | 库存：1000 + 国内：1~2 天 立即购买 |
 | 2SK3748-1E | ON | MOSFET N-CH 1500V 4A TO-2PF-3 数据手册 | 包装： Tube 系列： - 零件状态： Obsolete FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 1500V 电流-连续漏极（Id）（25°C 时）： 4A (Ta) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 7Ohm @ 2A, 10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： - | 暂无价格 | 库存：1000 + 国内：1~2 天
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| FDU6N50TU | ON | MOSFET N-CH 500V 6A IPAK 数据手册 | 包装： Tube 系列： UniFET? 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 500V 电流-连续漏极（Id）（25°C 时）： 6A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 900mOhm @ 3A, 10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 5V @ 250μA | | +1： | 6.95 | | +200： | 2.69 | | +500： | 2.6 |
| 库存：1000 + 国内：1~2 天 立即购买 |
| WPB4002-1E | ON | MOSFET N-CH 600V 23A TO3P3L 数据手册 | 包装： Tube 系列： - 零件状态： Obsolete FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 600V 电流-连续漏极（Id）（25°C 时）： 23A (Ta) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 360mOhm @ 11.5A, 10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： - | 暂无价格 | 库存：1000 + 国内：1~2 天
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 | HUF75321D3S | ON | MOSFET N-CH 55V 20A DPAK 数据手册 | 包装： Tube 系列： UltraFET? 零件状态： Obsolete FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 55V 电流-连续漏极（Id）（25°C 时）： 20A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 36mOhm @ 20A, 10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 4V @ 250μA | | +1： | 1.4933 | | +10： | 1.1035 | | +30： | 1.0318 |
| 库存：1000 + 国内：1~2 天 立即购买 |
 | NDP4050 | ON | MOSFET N-CH 50V 15A TO220 数据手册 | 包装： Tube 系列： - 零件状态： Obsolete FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 50V 电流-连续漏极（Id）（25°C 时）： 15A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： - 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 100mOhm @ 7.5A, 10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 4V @ 250μA | 暂无价格 | 库存：1000 + 国内：1~2 天
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 | HUF75329D3S | ON | MOSFET N-CH 55V 20A DPAK 数据手册 | 包装： Tube 系列： UltraFET? 零件状态： Obsolete FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 55V 电流-连续漏极（Id）（25°C 时）： 20A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 26mOhm @ 20A, 10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 4V @ 250μA | 暂无价格 | 库存：1000 + 国内：1~2 天
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 | IRF840B | ON | MOSFET N-CH 500V 8A TO-220 数据手册 | 包装： Tube 系列： - 零件状态： Obsolete FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 500V 电流-连续漏极（Id）（25°C 时）： 8A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 800mOhm @ 4A, 10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 4V @ 250μA | | 库存：1000 + 国内：1~2 天 立即购买 |
 | SFT1345-H | ON | MOSFET P-CH 100V 11A TP 数据手册 | 包装： Bulk 系列： - 零件状态： Obsolete FET 类型： P-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 100V 电流-连续漏极（Id）（25°C 时）： 11A (Ta) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 4V, 10V 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 275mOhm @ 5.5A, 10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： - | | +1： | 7.68 | | +25： | 5.96 | | +50： | 5.72 |
| 库存：1000 + 国内：1~2 天 立即购买 |
 | NDP6060 | ON | MOSFET N-CH 60V 48A TO-220AB 数据手册 | 包装： Tube 系列： - 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 60V 电流-连续漏极（Id）（25°C 时）： 48A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 25mOhm @ 24A, 10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 4V @ 250μA | | +1： | 18.46 | | +10： | 15.84 | | +30： | 15.36 |
| 库存：1000 + 国内：1~2 天 立即购买 |
| NTD2955-1G | ON | MOSFET P-CH 60V 12A IPAK 数据手册 | 包装： Tube 系列： - 零件状态： Active FET 类型： P-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 60V 电流-连续漏极（Id）（25°C 时）： 12A (Ta) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 180mOhm @ 6A, 10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 4V @ 250μA | | +1： | 4.22 | | +10： | 3.15 | | +30： | 2.95 |
| 库存：1000 + 国内：1~2 天 立即购买 |
 | RFP70N03 | ON | MOSFET N-CH 30V 70A TO-220AB 数据手册 | 包装： Tube 系列： - 零件状态： Obsolete FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 30V 电流-连续漏极（Id）（25°C 时）： 70A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： - 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 10mOhm @ 70A, 10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 4V @ 250μA | 暂无价格 | 库存：1000 + 国内：1~2 天
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| RFD14N05 | ON | MOSFET N-CH 50V 14A I-PAK 数据手册 | 包装： Tube 系列： - 零件状态： Obsolete FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 50V 电流-连续漏极（Id）（25°C 时）： 14A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 100mOhm @ 14A, 10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 4V @ 250μA | 暂无价格 | 库存：1000 + 国内：1~2 天
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 | BFL4026-1E | ON | MOSFET N-CH 900V 3.5A 数据手册 | 包装： Tube 系列： - 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 900V 电流-连续漏极（Id）（25°C 时）： 3.5A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 3.6Ohm @ 2.5A, 10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： - | | +1： | 22.87 | | +200： | 8.85 | | +500： | 8.54 |
| 库存：1000 + 国内：1~2 天 立即购买 |
| HUF75345S3 | ON | MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK 数据手册 | 包装： Tube 系列： UltraFET? 零件状态： Obsolete FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 55V 电流-连续漏极（Id）（25°C 时）： 75A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 7mOhm @ 75A, 10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 4V @ 250μA | 暂无价格 | 库存：1000 + 国内：1~2 天
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 | SFH9154 | ON | MOSFET P-CH 150V 18A TO-3P 数据手册 | 包装： Tube 系列： - 零件状态： Obsolete FET 类型： P-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 150V 电流-连续漏极（Id）（25°C 时）： 18A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 200mOhm @ 9A, 10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 4V @ 250μA | 暂无价格 | 库存：1000 + 国内：1~2 天
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 | FQP13N50C_F105 | ON | | 包装： Tube 系列： QFET? 零件状态： Obsolete FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 500V 电流-连续漏极（Id）（25°C 时）： 13A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 480mOhm @ 6.5A, 10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 4V @ 250μA | 暂无价格 | 库存：0 国外：7~10 天
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 | NTD2955G | ON | MOSFET P-CH 60V 12A DPAK 数据手册 | 包装： Tube Alternate Packaging 系列： - 零件状态： Obsolete FET 类型： P-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 60V 电流-连续漏极（Id）（25°C 时）： 12A (Ta) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 180mOhm @ 6A, 10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 4V @ 250μA | 暂无价格 | 库存：1000 + 国内：1~2 天
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