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公司介绍

??????ON半导体(Nasdaq:ON)正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供一整套节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案,帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/航空航天和电源应用领域的独特设计挑战。OnSemiconductor在北美、欧洲和亚太地区的主要市场运营一个响应迅速、可靠、世界级的供应链和质量计划,并拥有一个制造设施、销售办事处和设计中心网络。

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NTB30N20G_晶体管-FET,MOSFET-单个

NTB30N20G

ON

MOSFET N-CH 200V 30A D2PAK

数据手册

包装: Tube

系列: -

零件状态: Obsolete

FET 类型: N-Channel

技术: MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压(Vdss): 200V

电流-连续漏极(Id)(25°C 时): 30A (Ta)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值): 81mOhm @ 15A, 10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 4V @ 250μA

暂无价格

库存:1000 +

国内:1~2 天

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RFP3055_晶体管-FET,MOSFET-单个

RFP3055

ON

MOSFET N-CH 60V 12A TO-220AB

数据手册

包装: Tube

系列: -

零件状态: Obsolete

FET 类型: N-Channel

技术: MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压(Vdss): 60V

电流-连续漏极(Id)(25°C 时): 12A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值): 150mOhm @ 12A, 10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 4V @ 250μA

暂无价格

库存:1000 +

国内:1~2 天

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FDMS0308CS_晶体管-FET,MOSFET-单个

FDMS0308CS

ON

MOSFET N-CH 30V POWER56

数据手册

包装: Cut Tape (CT)

系列: -

零件状态: Obsolete

FET 类型: N-Channel

技术: MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压(Vdss): 30V

电流-连续漏极(Id)(25°C 时): 22A (Ta)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): -

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值): 3mOhm @ 21A, 10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 3V @ 1mA

暂无价格

库存:1000 +

国内:1~2 天

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FQU5N50CTU_晶体管-FET,MOSFET-单个

FQU5N50CTU

ON

MOSFET N-CH 500V 4A IPAK

数据手册

包装: Tube

系列: QFET?

零件状态: Obsolete

FET 类型: N-Channel

技术: MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压(Vdss): 500V

电流-连续漏极(Id)(25°C 时): 4A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值): 1.4Ohm @ 2A, 10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 4V @ 250μA

暂无价格

库存:1000 +

国内:1~2 天

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NTD32N06G_晶体管-FET,MOSFET-单个

NTD32N06G

ON

MOSFET N-CH 60V 32A DPAK

数据手册

包装: Tube

系列: -

零件状态: Obsolete

FET 类型: N-Channel

技术: MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压(Vdss): 60V

电流-连续漏极(Id)(25°C 时): 32A (Ta)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值): 26mOhm @ 16A, 10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 4V @ 250μA

暂无价格

库存:1000 +

国内:1~2 天

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MPF960_晶体管-FET,MOSFET-单个

MPF960

ON

MOSFET N-CH 60V 2A TO-92

数据手册

包装: Bulk

系列: -

零件状态: Obsolete

FET 类型: N-Channel

技术: MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压(Vdss): 60V

电流-连续漏极(Id)(25°C 时): 2A (Ta)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值): 1.7Ohm @ 1A, 10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 3.5V @ 1mA

暂无价格

库存:1000 +

国内:1~2 天

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HUFA75309D3S_晶体管-FET,MOSFET-单个

HUFA75309D3S

ON

MOSFET N-CH 55V 19A DPAK

数据手册

包装: Tube

系列: UltraFET?

零件状态: Obsolete

FET 类型: N-Channel

技术: MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压(Vdss): 55V

电流-连续漏极(Id)(25°C 时): 19A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值): 70mOhm @ 19A, 10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 4V @ 250μA

暂无价格

库存:1000 +

国内:1~2 天

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FDA38N30_晶体管-FET,MOSFET-单个

FDA38N30

ON

MOSFET N-CH 300V TO-3

数据手册

包装: Tube

系列: UniFET?

零件状态: Active

FET 类型: N-Channel

技术: MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压(Vdss): 300V

电流-连续漏极(Id)(25°C 时): 38A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值): 85mOhm @ 19A, 10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 5V @ 250μA

+13: 9.5459
+100: 8.678

库存:1000 +

国内:1~2 天

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2SK3748-1E_晶体管-FET,MOSFET-单个

2SK3748-1E

ON

MOSFET N-CH 1500V 4A TO-2PF-3

数据手册

包装: Tube

系列: -

零件状态: Obsolete

FET 类型: N-Channel

技术: MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压(Vdss): 1500V

电流-连续漏极(Id)(25°C 时): 4A (Ta)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值): 7Ohm @ 2A, 10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): -

暂无价格

库存:1000 +

国内:1~2 天

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FDU6N50TU_晶体管-FET,MOSFET-单个

FDU6N50TU

ON

MOSFET N-CH 500V 6A IPAK

数据手册

包装: Tube

系列: UniFET?

零件状态: Active

FET 类型: N-Channel

技术: MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压(Vdss): 500V

电流-连续漏极(Id)(25°C 时): 6A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值): 900mOhm @ 3A, 10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 5V @ 250μA

+1: 6.95
+200: 2.69
+500: 2.6

库存:1000 +

国内:1~2 天

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WPB4002-1E_晶体管-FET,MOSFET-单个

WPB4002-1E

ON

MOSFET N-CH 600V 23A TO3P3L

数据手册

包装: Tube

系列: -

零件状态: Obsolete

FET 类型: N-Channel

技术: MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压(Vdss): 600V

电流-连续漏极(Id)(25°C 时): 23A (Ta)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值): 360mOhm @ 11.5A, 10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): -

暂无价格

库存:1000 +

国内:1~2 天

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HUF75321D3S_晶体管-FET,MOSFET-单个

HUF75321D3S

ON

MOSFET N-CH 55V 20A DPAK

数据手册

包装: Tube

系列: UltraFET?

零件状态: Obsolete

FET 类型: N-Channel

技术: MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压(Vdss): 55V

电流-连续漏极(Id)(25°C 时): 20A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值): 36mOhm @ 20A, 10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 4V @ 250μA

+1: 1.4933
+10: 1.1035
+30: 1.0318

库存:1000 +

国内:1~2 天

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NDP4050_晶体管-FET,MOSFET-单个

NDP4050

ON

MOSFET N-CH 50V 15A TO220

数据手册

包装: Tube

系列: -

零件状态: Obsolete

FET 类型: N-Channel

技术: MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压(Vdss): 50V

电流-连续漏极(Id)(25°C 时): 15A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): -

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值): 100mOhm @ 7.5A, 10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 4V @ 250μA

暂无价格

库存:1000 +

国内:1~2 天

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HUF75329D3S_晶体管-FET,MOSFET-单个

HUF75329D3S

ON

MOSFET N-CH 55V 20A DPAK

数据手册

包装: Tube

系列: UltraFET?

零件状态: Obsolete

FET 类型: N-Channel

技术: MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压(Vdss): 55V

电流-连续漏极(Id)(25°C 时): 20A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值): 26mOhm @ 20A, 10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 4V @ 250μA

暂无价格

库存:1000 +

国内:1~2 天

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IRF840B_晶体管-FET,MOSFET-单个

IRF840B

ON

MOSFET N-CH 500V 8A TO-220

数据手册

包装: Tube

系列: -

零件状态: Obsolete

FET 类型: N-Channel

技术: MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压(Vdss): 500V

电流-连续漏极(Id)(25°C 时): 8A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值): 800mOhm @ 4A, 10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 4V @ 250μA

+1: 4.08
+10: 3
+30: 2.8

库存:1000 +

国内:1~2 天

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SFT1345-H_晶体管-FET,MOSFET-单个

SFT1345-H

ON

MOSFET P-CH 100V 11A TP

数据手册

包装: Bulk

系列: -

零件状态: Obsolete

FET 类型: P-Channel

技术: MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压(Vdss): 100V

电流-连续漏极(Id)(25°C 时): 11A (Ta)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值): 275mOhm @ 5.5A, 10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): -

+1: 7.68
+25: 5.96
+50: 5.72

库存:1000 +

国内:1~2 天

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NDP6060_晶体管-FET,MOSFET-单个

NDP6060

ON

MOSFET N-CH 60V 48A TO-220AB

数据手册

包装: Tube

系列: -

零件状态: Active

FET 类型: N-Channel

技术: MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压(Vdss): 60V

电流-连续漏极(Id)(25°C 时): 48A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值): 25mOhm @ 24A, 10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 4V @ 250μA

+1: 18.46
+10: 15.84
+30: 15.36

库存:1000 +

国内:1~2 天

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NTD2955-1G_晶体管-FET,MOSFET-单个

NTD2955-1G

ON

MOSFET P-CH 60V 12A IPAK

数据手册

包装: Tube

系列: -

零件状态: Active

FET 类型: P-Channel

技术: MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压(Vdss): 60V

电流-连续漏极(Id)(25°C 时): 12A (Ta)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值): 180mOhm @ 6A, 10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 4V @ 250μA

+1: 4.22
+10: 3.15
+30: 2.95

库存:1000 +

国内:1~2 天

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RFP70N03_晶体管-FET,MOSFET-单个

RFP70N03

ON

MOSFET N-CH 30V 70A TO-220AB

数据手册

包装: Tube

系列: -

零件状态: Obsolete

FET 类型: N-Channel

技术: MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压(Vdss): 30V

电流-连续漏极(Id)(25°C 时): 70A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): -

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值): 10mOhm @ 70A, 10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 4V @ 250μA

暂无价格

库存:1000 +

国内:1~2 天

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RFD14N05_晶体管-FET,MOSFET-单个

RFD14N05

ON

MOSFET N-CH 50V 14A I-PAK

数据手册

包装: Tube

系列: -

零件状态: Obsolete

FET 类型: N-Channel

技术: MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压(Vdss): 50V

电流-连续漏极(Id)(25°C 时): 14A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值): 100mOhm @ 14A, 10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 4V @ 250μA

暂无价格

库存:1000 +

国内:1~2 天

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BFL4026-1E_晶体管-FET,MOSFET-单个

BFL4026-1E

ON

MOSFET N-CH 900V 3.5A

数据手册

包装: Tube

系列: -

零件状态: Active

FET 类型: N-Channel

技术: MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压(Vdss): 900V

电流-连续漏极(Id)(25°C 时): 3.5A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值): 3.6Ohm @ 2.5A, 10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): -

+1: 22.87
+200: 8.85
+500: 8.54

库存:1000 +

国内:1~2 天

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HUF75345S3_晶体管-FET,MOSFET-单个

HUF75345S3

ON

MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK

数据手册

包装: Tube

系列: UltraFET?

零件状态: Obsolete

FET 类型: N-Channel

技术: MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压(Vdss): 55V

电流-连续漏极(Id)(25°C 时): 75A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值): 7mOhm @ 75A, 10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 4V @ 250μA

暂无价格

库存:1000 +

国内:1~2 天

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SFH9154_晶体管-FET,MOSFET-单个

SFH9154

ON

MOSFET P-CH 150V 18A TO-3P

数据手册

包装: Tube

系列: -

零件状态: Obsolete

FET 类型: P-Channel

技术: MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压(Vdss): 150V

电流-连续漏极(Id)(25°C 时): 18A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值): 200mOhm @ 9A, 10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 4V @ 250μA

暂无价格

库存:1000 +

国内:1~2 天

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FQP13N50C_F105_晶体管-FET,MOSFET-单个

FQP13N50C_F105

ON

IC POWER MANAGEMENT

数据手册

包装: Tube

系列: QFET?

零件状态: Obsolete

FET 类型: N-Channel

技术: MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压(Vdss): 500V

电流-连续漏极(Id)(25°C 时): 13A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值): 480mOhm @ 6.5A, 10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 4V @ 250μA

暂无价格

库存:0

国外:7~10 天

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NTD2955G_晶体管-FET,MOSFET-单个

NTD2955G

ON

MOSFET P-CH 60V 12A DPAK

数据手册

包装: Tube Alternate Packaging

系列: -

零件状态: Obsolete

FET 类型: P-Channel

技术: MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压(Vdss): 60V

电流-连续漏极(Id)(25°C 时): 12A (Ta)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值): 180mOhm @ 6A, 10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 4V @ 250μA

暂无价格

库存:1000 +

国内:1~2 天

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